【自然科学学术活动月】国家自科基金项目申报讲座（193）

理学院

个人简介

韩根全，西安电子科技大学二级教授，西安电子科技大学杭州研究院后摩尔器件与芯片实验室主任，国家杰出青年基金和优秀青年基金获得者，入选陕西省高层次人才计划。获得陕西省青年科技奖和电子学会优秀毕业论文导师奖。担任为IEEE Electron Device Letters和National Science Open (NSO)编辑、新加坡科技研究局A*STAR项目评审人。在IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters等微电子器件旗舰会议和期刊发表论文300多篇。原创发明离子刀剥离与键合实现异质集氧化镓技术，开发设计多种氧化镓器件性能解决方案，原创发明高迁移率锗锡沟道CMOS晶体管技术，发展多种新型存储器件和阵列芯片技术。

报告摘要

与大多数其他半导体材料相比，氧化镓（Ga₂O₃）晶体中更严重的声子-声子散射导致其热导率较低。为了解决这个问题并提高Ga₂O₃器件的散热能力，一种实际有效的解决方案是将Ga₂O₃与具有高热导率的衬底进行集成。通过成功开发的离子切割和键合工艺，可以在碳化硅（SiC）和硅（Si）衬底上实现整片级的异质集成。实验证明，在离子切割过程中通过氢离子注入引起的对Ga₂O₃晶体管沟道的影响可以通过高温退火来消除，从而使异质集成的Ga₂O₃晶体管的有效沟道迁移率与体材料和体器件相当。异质集成技术有望解决Ga₂O₃电子器件在高功率应用中所面临的基本热限制问题，同时发挥Ga₂O₃优异的高击穿、低能耗以及小体积等优势，将在电力传输、工业控制、航天航空以及国防科技等领域有着广阔的应用前景。报告人将从异质集成氧化镓材料研发、器件设计以及特性分析等方面汇报开展的相关工作。